Параметр | Диапазоны измерения | Погрешность |
Пост. напряжение |
400 мВ/4 В/40 В/400 В |
±(0.5% + 4) |
1000 В |
±(1.0% + 6) |
Перем. напряжение |
400 мВ |
±(1.6% + 8) |
4 В/40 В/400 В/750 В |
±(0.8% + 10) |
Пост. ток |
400мкА/4000 мкА |
±(1.0% + 10) |
40 мА/400 мА |
±(1.2% + 8) |
10 А |
±(1.2% + 10) |
Перем. ток |
400мкА/4000 мкА/40 мА/400 мА |
±(1.5% + 10) |
10 А |
±(2.0% + 15) |
Сопротивление |
400 Ом |
±(0.8% + 5) |
4 кОм/40 кОм/400 кОм/4 МОм |
±(0.8% + 4) |
40 МОм |
±(1.2% + 10) |
Ёмкость |
10 нФ |
±(5.0% + 20) |
100 нФ/1 мкФ/10 мкФ/100 мкФ |
±(3.5% + 8) |
1 мФ/10 мФ/100 мФ |
±(5.0% + 10) |
Частота |
100 Гц/1 кГц/10 кГц/100 кГц/1 МГц/30 МГц |
±(0.5% + 10) |
Температура |
-20℃~400℃/-4℉~752℉ |
±(1.0% + 5) |
400℃~1000℃/752℉~1832℉ |
±(1.5% + 15) |
Диодный тест |
Индицируется приближенное значение прямого падения напряжения на диоде |
"Прозвонка" |
При сопротивлении цепи менее (70±20) Ом включается звуковой сигнал |
hFE |
Индицируется приближенное значение hFE (0-1000) проверяемого транзистора (любого типа) |
Коэффициент заполнения |
0.1~99.9% |
Погрешность определяется как ±(% от показания + число значений единицы младшего разряда)